手套箱香蕉视频污片机的参数设置有哪些？（上）
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发布日期：2026-02-25 14:35【大 中 小】
文章导读：手套箱香蕉视频污片机的参数设置是决定处理效果的核心，结合工艺类型、工件材质、按核心必设参数、分工艺通用参数、典型场景精准参数、调参原则与禁忌四部分整理，覆盖科研 / 小批量量产的标准化设置。
手套箱香蕉视频污片机的参数设置是决定处理效果的核心，结合工艺类型、工件材质、按核心必设参数、分工艺通用参数、典型场景精准参数、调参原则与禁忌四部分整理，覆盖科研 / 小批量量产的标准化设置。
一、 核心必设参数
所有手套箱香蕉视频污片机的基础参数均围绕这四大维度设置，是等离子体生成和处理效果的关键，腔机分离式机型的主机 / 触摸屏可直接调节，部分高端机型支持参数保存和一键调用。
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参数维度 |
可调范围（主流机型） |
核心作用 |
通用设置原则 |
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工艺真空度 |
1~100Pa |
决定等离子体密度和均匀性，低真空（1~10Pa）等离子体更致密，适用于刻蚀；中真空（10~50Pa）兼顾均匀性和低温，为清洁 / 活化通用区间 |
热敏材料（钙钛矿 / PI）：30~50Pa（高真空易升温）；硬材质（金属 / 硅片）：10~30Pa；刻蚀工艺：1~10Pa |
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工艺气体 / 配比 |
单气体（Ar/O₂/N₂/H₂）混合气（比例 0~100% 可调） |
决定处理类型（清洁 / 活化 / 去氧化 / 刻蚀），是物理 / 化学作用的核心依据 |
物理作用（去颗粒 / 刻蚀）：纯 Ar；化学清洁（去有机物）：Ar/O₂；活化（提表面能）：Ar/N₂；金属去氧化：Ar/H₂ |
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射频功率 |
0~500W（常规 0~200W） |
决定等离子体的能量，功率越高活性粒子动能越大，处理效率越高，但易升温损伤热敏材料 |
热敏材料：60~100W（超低温）；硬材质：100~200W；刻蚀：200~300W；严禁无气体时开功率 |
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处理时间 |
0~60min（常规 1~8min） |
决定处理程度，时间越长清洁 / 刻蚀越彻底，但易导致表面过度刻蚀 / 升温 |
热敏材料：1~3min；硬材质：3~8min；批量小工件：适当延长 1~2min，保证均匀性 |
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气体流量 |
10~200sccm |
辅助维持工艺真空度稳定，保证等离子体持续均匀生成 |
单气体：50~100sccm；混合气：总流量 50~100sccm，按配比分配各气体流量 |
补充参数：部分高端机型支持射频频率（固定 13.56MHz，无需调节，为科研 / 工业标准频段）、腔体温度（无单独调节，通过功率 / 时间间接控制，常规处理≤40℃）。
二、 分工艺类型通用参数表
按手套箱香蕉视频污片机最常用的5 类核心工艺整理标准化参数，适配所有常规材质，热敏材料在此基础上降低功率、缩短时间，水氧敏感材料避免用 O₂，优先纯 Ar。
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工艺类型 |
推荐气体 / 配比 |
射频功率（W） |
工艺真空度（Pa） |
气体流量（sccm） |
处理时间（min） |
核心适用场景 |
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物理清洁（去颗粒 / 轻度除杂） |
纯 Ar |
80~120 |
30~50 |
50~80 |
1~3 |
钙钛矿衬底、光学镜片、PDMS 表面去颗粒 |
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化学清洁（去有机物 / 脱模剂） |
Ar:O₂=9:1/8:2 |
100~150 |
20~30 |
总 80（Ar72/O₂8） |
2~5 |
PDMS 微流控芯片、塑料件、ITO 玻璃去油污 |
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表面活化（提表面能 / 增附着力） |
Ar:N₂=8:2/7:3 |
60~100 |
30~40 |
总 60（Ar48/N₂12） |
1~3 |
钙钛矿衬底、柔性 PI/PET、硅片键合前活化 |
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金属去氧化（还原氧化层 / 降接触电阻） |
Ar:H₂=9.5:0.5/9:1 |
100~180 |
20~25 |
总 70（Ar66.5/H₂3.5） |
2~4 |
铜 / 铝极片、芯片引脚、钛合金精密件去氧化 |
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轻度刻蚀（微粗糙化 / 增比表面积） |
纯 Ar |
150~250 |
5~20 |
80~100 |
3~8 |
石墨烯、碳纤维、硅片表面微刻蚀 |
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